Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A 221 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
130-0935
Herst. Teile-Nr.:
IRF100B202
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

97 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

221 W

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.67mm

Breite

4.83mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

77 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

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