Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 143 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 145-8642
Herst. Teile-Nr.:: IRFU4510PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 143 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:: 145-8642
Herst. Teile-Nr.:: IRFU4510PBF
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	56 A
	Drain-Source-Spannung max.	100 V
	Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
	Serie	HEXFET
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	13,9 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4V
	Gate-Schwellenspannung min.	2V
	Verlustleistung max.	143 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Breite	2.39mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	54 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	6.73mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Höhe	6.22mm

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 56 A
	Drain-Source-Spannung max. 100 V
	Gehäusegröße IPAK (TO-251)
	Serie HEXFET
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 13,9 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4V
	Gate-Schwellenspannung min. 2V
	Verlustleistung max. 143 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Breite 2.39mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 54 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 6.73mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Höhe 6.22mm

Ursprungsland:: MX

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 143 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

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