Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 124-9019
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4468PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 124-9019
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4468PBF
Hersteller:: Infineon

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	290A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	360nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	520W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	5.31 mm
	Länge	15.87mm
	Höhe	20.7mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 290A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 360nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 520W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 5.31 mm
	Länge 15.87mm
	Höhe 20.7mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

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MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.