Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 124-9014
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4110PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:: 124-9014
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4110PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	370 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	150 nC @ 10 V
Länge	15.87mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	20.7mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

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