Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 3.4 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 124-8750
Herst. Teile-Nr.:: IRF7342TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 3.4 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	SOIC
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	170mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	26nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Breite	4mm
	Höhe	1.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße SOIC
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Breite 4mm
	Höhe 1.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3,4A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF7342TRPBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist für eine effiziente Energieverwaltung in verschiedenen elektronischen Geräten vorgesehen. Mit seiner P-Kanal-Konfiguration eignet er sich für leistungsstarke Schalt- und Verstärkungsvorgänge. Seine robusten Spezifikationen erfüllen die wesentlichen Anforderungen von Ingenieuren und Konstrukteuren in der Automatisierungs- und Elektrobranche.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler Dauerverbrauchsstrom von 3,4 A

• Drain-Source-Spannungstoleranz von bis zu 55 V

• Die Oberflächenmontage ermöglicht eine unkomplizierte Installation

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand verbessert die Energieeffizienz

• Gate-Schwellenspannung von 1 V für zuverlässiges Schalten

Anwendungsbereich

• Stromversorgungsschaltungen für eine bessere Energienutzung

• Automatisierungsgeräte, die robuste Schaltfunktionen erfordern

• Geeignet für Motorsteuerungssysteme

• Einsatz in Stromrichtern für die Elektronik

• Häufig in Batteriemanagementsystemen

Was sind die thermischen Grenzen für den Betrieb?

Er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Wie verbessert dieses Bauteil die Effizienz des Schaltkreises?

Der niedrige Rds(on)-Wert verringert die Verlustleistung während des Betriebs und verbessert so die Gesamteffizienz der Schaltung.

Kann dieser MOSFET gepulste Ströme verarbeiten?

Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 27 A aufnehmen und ist für transiente Bedingungen geeignet.

In welcher Art von Verpackung ist es erhältlich?

Er ist in einem oberflächenmontierbaren SO-8-Gehäuse erhältlich, das die Layout-Flexibilität und die Fertigungsprozesse optimiert.

Gibt es eine bestimmte Gate-Spannung für optimale Leistung?

Die Gate-Source-Spannung sollte idealerweise bei ±20 V gehalten werden, um eine optimale Leistung und Langlebigkeit des Bauelements zu gewährleisten.