Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 3.4 A 2 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 9,48

(ohne MwSt.)

€ 11,38

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 170 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 1 660 Einheit(en) mit Versand ab 05. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,948€ 9,48
100 - 240€ 0,739€ 7,39
250 - 490€ 0,692€ 6,92
500 - 990€ 0,644€ 6,44
1000 +€ 0,598€ 5,98

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-8901
Herst. Teile-Nr.:
IRF7342TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3,4A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF7342TRPBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist für eine effiziente Energieverwaltung in verschiedenen elektronischen Geräten vorgesehen. Mit seiner P-Kanal-Konfiguration eignet er sich für leistungsstarke Schalt- und Verstärkungsvorgänge. Seine robusten Spezifikationen erfüllen die wesentlichen Anforderungen von Ingenieuren und Konstrukteuren in der Automatisierungs- und Elektrobranche.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler Dauerverbrauchsstrom von 3,4 A

• Drain-Source-Spannungstoleranz von bis zu 55 V

• Die Oberflächenmontage ermöglicht eine unkomplizierte Installation

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand verbessert die Energieeffizienz

• Gate-Schwellenspannung von 1 V für zuverlässiges Schalten

Anwendungsbereich


• Stromversorgungsschaltungen für eine bessere Energienutzung

• Automatisierungsgeräte, die robuste Schaltfunktionen erfordern

• Geeignet für Motorsteuerungssysteme

• Einsatz in Stromrichtern für die Elektronik

• Häufig in Batteriemanagementsystemen

Was sind die thermischen Grenzen für den Betrieb?


Er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Wie verbessert dieses Bauteil die Effizienz des Schaltkreises?


Der niedrige Rds(on)-Wert verringert die Verlustleistung während des Betriebs und verbessert so die Gesamteffizienz der Schaltung.

Kann dieser MOSFET gepulste Ströme verarbeiten?


Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 27 A aufnehmen und ist für transiente Bedingungen geeignet.

In welcher Art von Verpackung ist es erhältlich?


Er ist in einem oberflächenmontierbaren SO-8-Gehäuse erhältlich, das die Layout-Flexibilität und die Fertigungsprozesse optimiert.

Gibt es eine bestimmte Gate-Spannung für optimale Leistung?


Die Gate-Source-Spannung sollte idealerweise bei ±20 V gehalten werden, um eine optimale Leistung und Langlebigkeit des Bauelements zu gewährleisten.

Verwandte Links