ROHM RUM002N05 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin ESM

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RS Best.-Nr.:
124-6840
Herst. Teile-Nr.:
RUM002N05T2L
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

ESM

Serie

RUM002N05

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.8 mm

Höhe

0.5mm

Länge

1.2mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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