ROHM RUM002N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin ESM

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*

€ 5,90

(ohne MwSt.)

€ 7,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
100 - 400€ 0,059€ 5,90
500 - 900€ 0,038€ 3,80
1000 - 2400€ 0,027€ 2,70
2500 - 4900€ 0,027€ 2,70
5000 +€ 0,026€ 2,60

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-6839
Herst. Teile-Nr.:
RUM002N02T2L
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

RUM002N02

Gehäusegröße

ESM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.3mm

Breite

0.9 mm

Höhe

0.45mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


Verwandte Links