ROHM RU1C002ZP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323

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124-6835
Herst. Teile-Nr.:
RU1C002ZPTCL
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

RU1C002ZP

Gehäusegröße

SOT-323

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Gate-Source-spannung max Vgs

±10 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.1mm

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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