ROHM RU1J002YN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*

€ 5,60

(ohne MwSt.)

€ 6,70

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
100 - 400€ 0,056€ 5,60
500 - 900€ 0,051€ 5,10
1000 - 2400€ 0,048€ 4,80
2500 - 4900€ 0,042€ 4,20
5000 +€ 0,037€ 3,70

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
124-6836
Herst. Teile-Nr.:
RU1J002YNTCL
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

RU1J002YN

Gehäusegröße

SOT-323

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.1mm

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


Verwandte Links