Texas Instruments Einfach NexFET N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 259 A 375 W,
- RS Best.-Nr.:
- 121-9764
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19536KCS
- Hersteller:
- Texas Instruments
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 121-9764
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19536KCS
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- Texas Instruments
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | NexFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 259 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 375 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | -5 V | |
| Höhe | 16.51 mm | |
| Länge | 10.67 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 3.2 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 118 nC | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie NexFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 259 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 375 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) -5 V | ||
Höhe 16.51 mm | ||
Länge 10.67 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 3.2 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 118 nC | ||
Breite 4.7 mm | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
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