Texas Instruments Einfach NexFET N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 100 A 3.2 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:
827-4909
Herst. Teile-Nr.:
CSD18563Q5A
Hersteller:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VSONP

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Verlustleistung Pd

3.2W

Durchlassspannung Vf

800mV

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5mm

Höhe

1.1mm

Länge

5.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFETTM-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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