Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP

RS Best.-Nr.:: 827-4909
Herst. Teile-Nr.:: CSD18563Q5A
Hersteller:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:: 827-4909
Herst. Teile-Nr.:: CSD18563Q5A
Hersteller:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	NexFET
Gehäusegröße	VSONP
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	10,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.7V
Verlustleistung max.	3,2 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5.8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.1mm

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

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