Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 50 A 63 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:
208-8487
Herst. Teile-Nr.:
CSD19534Q5A
Hersteller:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

VSONP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Betriebstemperatur min.

-50°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Breite

4.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.9mm

Automobilstandard

Nein

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