Texas Instruments NexFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
900-9857
Herst. Teile-Nr.:
CSD19536KTTT
Hersteller:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

272A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

118nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

900mV

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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