STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 190 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 111-6480
Herst. Teile-Nr.:: STW28N60DM2
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 190 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 111-6480
Herst. Teile-Nr.:: STW28N60DM2
Hersteller:: STMicroelectronics

STB28N60DM2, STP28N60DM2, STW28N60DM2, N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFETs
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	22 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh DM2
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	160 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Breite	5.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	39 nC @ 10 V
Länge	15.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Höhe	20.15mm

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 190 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics

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