STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 829-1504
Herst. Teile-Nr.:: STW33N60M2
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 829-1504
Herst. Teile-Nr.:: STW33N60M2
Hersteller:: STMicroelectronics

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2, N-Channel 600V, 0.108 Ohm typ., 26A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 Packages
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	26 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	125 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	15.75mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	45,5 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.15mm
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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