STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
687-5201
Herst. Teile-Nr.:
STP42N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

MDmesh M5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

79mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Höhe

9.15mm

Breite

4.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics


Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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