Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 200 V / 25 A 150 W, 8-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 790-426
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 50 Stück)*
€ 247,20
(ohne MwSt.)
€ 296,65
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 4,944 | € 247,20 |
| 500 - 1200 | € 3,204 | € 160,20 |
| 1250 - 4950 | € 1,694 | € 84,70 |
| 5000 - 24950 | € 1,648 | € 82,40 |
| 25000 + | € 1,602 | € 80,10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 790-426
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.075Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.075Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet robuste Leistung für Automobilanwendungen und wurde entwickelt, um hohe Ströme und Spannungen effizient zu bewältigen. Seine fortschrittliche Konstruktion gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 200 V
AEC Q101-qualifiziert für Automobilstandards
Geeignet für kontinuierliche Ablassströme von bis zu 95 A
Unterstützt eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET N-Kanal 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET N-Kanal 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET Dual-N-Kanal 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET P-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
