Vishay TrenchFET Dual-N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 40 V / 8 A 4 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
790-419
Herst. Teile-Nr.:
SQ4940CEY-T1_BE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Dual-N-Kanal

Produkt Typ

Kfz-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.024Ω

Channel-Modus

MOSFET

Maximale Verlustleistung Pd

4W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.2nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Automobilanwendungen entwickelt und bietet effiziente Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Er verfügt über eine doppelte N-Kanal-Funktionalität und ist ideal für verschiedene elektronische Steuerungssysteme.

Arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V für zuverlässige Leistung

AEC Q101-qualifiziert, um hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen zu gewährleisten

Entwickelt für einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 8 A, unterstützt hohe Leistungsanforderungen

Materialkategorisierung gemäß Industriestandards für Umweltsicherheit

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