STMicroelectronics ST8L65N0 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET N 650 V / 44 A 223 W, 5-Pin PowerFlat HV

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RS Best.-Nr.:
762-552
Herst. Teile-Nr.:
ST8L65N065DM9
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerFlat HV

Serie

ST8L65N0

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

223W

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.95mm

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal Super Junction Power MOSFET von STMicroelectronics ist ein hocheffizientes Stromversorgungsgerät, das auf der Advanced MDmesh M9 Super Junction-Technologie basiert. Er wurde für Anwendungen mit mittlerer bis hoher Spannung entwickelt, bei denen geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten von entscheidender Bedeutung sind.

Sehr niedriger FOM

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Ausgezeichnete Schaltleistung

100 % Avalanche-getestet

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