STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche 750 V Erweiterung / 25 A, 4-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS Best.-Nr.:
- 275-1317
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT65R65AL
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 275-1317
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT65R65AL
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 750 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 25 A | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 750 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 25 A | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
- Ursprungsland:
- CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
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