Vishay SIEH3812EW N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 322 A 417 W, 8-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:
736-346
Herst. Teile-Nr.:
SIEH3812EW-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

322A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SIEH3812EW

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00175Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

154nC

Maximale Verlustleistung Pd

417W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet außergewöhnliche Leistung in Hocheffizienzanwendungen und verfügt über ein N-Kanal-Design, das einen signifikanten kontinuierlichen Ableitstrom unterstützt, ideal für fortschrittliche Energiemanagementlösungen.

Vollständig bleifreie (Pb) und halogenfreie Konstruktion für Umweltverträglichkeit

100 % getestet für R und UIS, um Zuverlässigkeit zu gewährleisten

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