STMicroelectronics STH N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 397 A 341 W, 2-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
719-652
Herst. Teile-Nr.:
STH345N6F7-2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

397A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

STH

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

230nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

9.3mm

Breite

10.4mm

Höhe

4.7mm

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trunking-Gate-Struktur, die zu einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand führt und gleichzeitig die interne Kapazität und die Gate-Ladung reduziert, um eine schnellere und effizientere Schaltung zu ermöglichen.

Zu den niedrigsten RDS(on) am Markt

Ausgezeichnete FoM (Verdienstzahl)

Geringes Crss/Ciss-Verhältnis für EMI-Immunität

Hohe Lawinenbeständigkeit

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