Vishay SIRS5700DP N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 144 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-129
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5700DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5700DP-T1-RE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 144A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | SIRS5700DP | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0056Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 950μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 144A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie SIRS5700DP | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0056Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 950μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in Systemen mit hoher Leistungsdichte entwickelt. Er unterstützt bis zu 150 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK SO-8S, nutzt es die TrenchFET Gen V-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), reduzierte Gate-Ladung und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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