ROHM R4P Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V 0.5 W, 3-Pin MPT3
- RS Best.-Nr.:
- 646-552
- Herst. Teile-Nr.:
- R4P030N03HZGT100
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
€ 3,49
(ohne MwSt.)
€ 4,19
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,349 | € 3,49 |
| 100 - 240 | € 0,306 | € 3,06 |
| 250 - 990 | € 0,276 | € 2,76 |
| 1000 - 4990 | € 0,223 | € 2,23 |
| 5000 + | € 0,217 | € 2,17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 646-552
- Herst. Teile-Nr.:
- R4P030N03HZGT100
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | MPT3 | |
| Serie | R4P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.30mm | |
| Breite | 4.70 mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße MPT3 | ||
Serie R4P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.30mm | ||
Breite 4.70 mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der 4-Volt-N-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistor von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Widerstand aus und unterstützt den Betrieb mit 4-Volt-Antrieben.
AEC-Q101-qualifiziert
Verwandte Links
- ROHM R4P Typ N-Kanal 3-Pin MPT3
- ROHM R2P Typ N-Kanal 3-Pin MPT3
- ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3E07BBJHRB Typ P-Kanal 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM AG502EED3HRB Typ P-Kanal 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM AW2K21 Typ N-Kanal 22-Pin WLCSP-2020
- ROHM RS7E200 Typ N-Kanal 8-Pin DFN5060-8S
- Vishay SQJ131ELP Typ P-Kanal 4-Pin PowerPAK
