ROHM R2P N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 2 A 0.5 W, 3-Pin MPT3
- RS Best.-Nr.:
- 646-553
- Herst. Teile-Nr.:
- R2P020N06HZGT100
- Hersteller:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 646-553
- Herst. Teile-Nr.:
- R2P020N06HZGT100
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | MPT3 | |
| Serie | R2P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 240mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 4.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße MPT3 | ||
Serie R2P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 4.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 60 Volt und 2 Ampere mittlerer Leistung zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus und unterstützt den Betrieb mit niedriger Spannung (2,5 Volt).
AEC-Q101-qualifiziert