ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V / 80 A 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-362
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3E08BBJHRBTL
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | RD3E08BBJHRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 6.8mm | |
| Länge | 10.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie RD3E08BBJHRB | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 6.8mm | ||
Länge 10.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern. Dieses robuste Gerät arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von -30 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von ±80 A und gewährleistet eine effiziente Leistung in Energiemanagementsystemen. Seine innovative Konstruktion umfasst einen Wärmewiderstand von nur 1,05 °C/W, der die Zuverlässigkeit optimiert und eine effektive Wärmeableitung ermöglicht. Mit der AEC-Q101-Qualifikation eignet sich dieser MOSFET für Automobilanwendungen, die in Umgebungen mit extremen Temperaturschwankungen funktionieren und einen zuverlässigen Betrieb unter schwierigen Bedingungen gewährleisten.
Geringer Widerstand von 3,7 mΩ, erhöht die Effizienz und minimiert den Energieverlust
Impuls-Drain-Strom von ±160 A, geeignet für Anwendungen mit hoher Beanspruchung
Die Gate-Source-Spannung von +5/-20 V gewährleistet einen vielseitigen Betrieb und eine robuste Steuerung
Montage in einem DPAK-Gehäuse für effizientes Wärmemanagement und kompakte Grundfläche
Lawinengeprüft für verbesserte Zuverlässigkeit in elektrischen Umgebungen mit hoher Belastung
Das Produkt ist AEC Q101-qualifiziert und damit ideal für sicherheitskritische Automobilanwendungen.
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