Microchip VN2210 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Beutel mit 500 Stück)*

€ 12.449,50

(ohne MwSt.)

€ 14.939,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
500 +€ 24,899€ 12.449,50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
598-655
Herst. Teile-Nr.:
VN2210N2
Hersteller:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

90V

Serie

VN2210

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Durchlassspannung Vf

1.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

5.08mm

Breite

4.19 mm

Höhe

5.33mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor von Microchip nutzt eine vertikale doppelt diffusierte Metalloxid-Halbleiter-Struktur (DMOS) zusammen mit einem bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Diese Kombination sorgt dafür, dass das Gerät frei von sekundären Ausfällen ist und mit einem niedrigen Stromversorgungsbedarf arbeitet, was es effizient und zuverlässig für verschiedene Anwendungen macht.

Einfache Parallelschaltung

Geringer Stromverbrauch

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Verwandte Links