Starpower DOSEMI Einzelschalter-Kanal, Durchsteckmontage SiC-MOSFET ohne Diode Erweiterung 1.2 kV / 64 A 268 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 427-757
- Herst. Teile-Nr.:
- DM400S12TDRB
- Hersteller:
- Starpower
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- Hersteller:
- Starpower
Technische Daten des gezeigten Artikels
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Starpower | |
| Produkt Typ | SiC-MOSFET ohne Diode | |
| Kabelkanaltyp | Einzelschalter | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | Band und Rolle | |
| Serie | DOSEMI | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 55.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 268W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.85V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Starpower | ||
Produkt Typ SiC-MOSFET ohne Diode | ||
Kabelkanaltyp Einzelschalter | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße Band und Rolle | ||
Serie DOSEMI | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 55.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 268W | ||
Durchlassspannung Vf 3.85V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Starpower MOSFET Power Discrete bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie niedrige Schaltverluste. Sie wurden für Anwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge entwickelt.
SiC-Leistungs-MOSFET
Niedriger RDS(ein)
Gehäuse mit niedriger Induktivität verhindert Schwingungen
RoHS
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