Starpower DOSEMI Einzelschalter-Kanal, Durchsteckmontage SiC-MOSFET ohne Diode N 1200 V / 64 A 268 W, 4-Pin Band und

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RS Best.-Nr.:
427-757
Herst. Teile-Nr.:
DM400S12TDRB
Hersteller:
Starpower
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Marke

Starpower

Kabelkanaltyp

Einzelschalter

Produkt Typ

SiC-MOSFET ohne Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

DOSEMI

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55.2mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

3.85V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Starpower MOSFET Power Discrete bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie niedrige Schaltverluste. Sie wurden für Anwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge entwickelt.

SiC-Leistungs-MOSFET

Niedriger RDS(ein)

Gehäuse mit niedriger Induktivität verhindert Schwingungen

RoHS

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