Starpower DOSEMI Einzelschalter-Kanal, Durchsteckmontage SiC-MOSFET ohne Diode N 1200 V / 118 A 355 W, 4-Pin Band und

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RS Best.-Nr.:
427-760
Herst. Teile-Nr.:
DM170S12TDRB
Hersteller:
Starpower
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Marke

Starpower

Produkt Typ

SiC-MOSFET ohne Diode

Kabelkanaltyp

Einzelschalter

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

118A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

DOSEMI

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29.0mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

355W

Gate-Source-spannung max Vgs

19 V

Durchlassspannung Vf

3.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Starpower MOSFET Power Discrete bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie niedrige Schaltverluste. Sie wurden für Anwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge entwickelt.

SiC-Leistungs-MOSFET

Niedriger RDS(ein)

Chip-Sintertechnologie

Gehäuse mit niedriger Induktivität verhindert Schwingungen

RoHS

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