Starpower DOSEMI Einzelschalter-Kanal, Durchsteckmontage SiC-MOSFET ohne Diode Erweiterung 1.2 kV / 118 A 355 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 427-760
- Herst. Teile-Nr.:
- DM170S12TDRB
- Hersteller:
- Starpower
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Starpower | |
| Produkt Typ | SiC-MOSFET ohne Diode | |
| Kabelkanaltyp | Einzelschalter | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 118A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | DOSEMI | |
| Gehäusegröße | Band und Rolle | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 19V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 355W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Starpower | ||
Produkt Typ SiC-MOSFET ohne Diode | ||
Kabelkanaltyp Einzelschalter | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 118A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie DOSEMI | ||
Gehäusegröße Band und Rolle | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 19V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 355W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Starpower MOSFET Power Discrete bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie niedrige Schaltverluste. Sie wurden für Anwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge entwickelt.
SiC-Leistungs-MOSFET
Niedriger RDS(ein)
Chip-Sintertechnologie
Gehäuse mit niedriger Induktivität verhindert Schwingungen
RoHS
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