STMicroelectronics N-Kanal STK615 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 672 A, 4-Pin PowerLeaded

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RS Best.-Nr.:
358-981
Herst. Teile-Nr.:
STK615N4F8AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

672A

Ausgangsleistung

390W

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

STK615

Gehäusegröße

PowerLeaded

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal

Höhe

1.85mm

Länge

8.15mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus von STMicroelectronics wurde in STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur entwickelt. Er gewährleistet eine hochmoderne Leistungszahl für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand und reduziert gleichzeitig die internen Kapazitäten und die Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten.

AEC Q101 qualifiziert

Klasse MSL1

175 Grad C maximale Sperrschichttemperatur

100 Prozent lawinengeprüft

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