STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterungsmodus 100 V / 125 A, 8-Pin PowerLeaded
- RS Best.-Nr.:
- 834-675
- Herst. Teile-Nr.:
- STL125N10LF8AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerLeaded | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerLeaded | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt eine fortschrittliche Trench-Gate-Technologie, um die Leistungsdichte und Effizienz in Automobil- und industriellen Leistungsumwandlungssystemen zu optimieren.
Die Qualifizierung für die Automobilindustrie gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen
Status der ART-Leistungsziffer reduziert die Gesamt-Schaltverluste erheblich
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert die Wärmeableitung bei hoher Stromleitung
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