Infineon IQF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 451 A 214 W, 12-Pin PG-TSON-12

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RS Best.-Nr.:
349-390
Herst. Teile-Nr.:
IQFH55N04NM6ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

451A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IQF

Gehäusegröße

PG-TSON-12

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

118nC

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 40 V ist speziell für Niederspannungsanwendungen und batteriebetriebene Systeme optimiert und damit ideal für energieeffiziente Designs. Außerdem ist er für synchrone Anwendungen optimiert, was eine höhere Leistung gewährleistet. Der MOSFET zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der die Leitungsverluste minimiert und so die Effizienz verbessert. Darüber hinaus ist er zu 100 % Avalanche-getestet und gewährleistet so zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen.

Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit

N-Kanal

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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