Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 656 A 300 W, 12-Pin PG-TSON-12
- RS Best.-Nr.:
- 348-840
- Herst. Teile-Nr.:
- IQFH36N04NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IQFH36N04NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 656A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 656A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Gehäusegröße PG-TSON-12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 12 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der 40-V-Normalpegel-Power-MOSFET von Infineon wird in unserem neuesten innovativen, kompakten PQFN-Gehäuse (8x6 mm2) auf Clip-Basis geliefert, das sehr hohe Ströme und Leistungen ermöglicht. Das Bauteil bietet den derzeit branchenweit besten RDS(on) von 0,36 mΩ in Kombination mit einer hervorragenden thermischen Leistung.
Minimierte Leitungsverluste
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung
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