Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 656 A 300 W, 12-Pin PG-TSON-12

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 7,25

(ohne MwSt.)

€ 8,70

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 9€ 7,25
10 - 99€ 6,53
100 - 499€ 6,02
500 - 999€ 5,58
1000 +€ 5,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
348-840
Herst. Teile-Nr.:
IQFH36N04NM6ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

656A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-TSON-12

Serie

OptiMOS-TM6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der 40-V-Normalpegel-Power-MOSFET von Infineon wird in unserem neuesten innovativen, kompakten PQFN-Gehäuse (8x6 mm2) auf Clip-Basis geliefert, das sehr hohe Ströme und Leistungen ermöglicht. Das Bauteil bietet den derzeit branchenweit besten RDS(on) von 0,36 mΩ in Kombination mit einer hervorragenden thermischen Leistung.

Minimierte Leitungsverluste

Schnelles Umschalten

Reduziertes Überschwingen der Spannung

Verwandte Links