Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 230 A 133 W, 10-Pin PG-LHDSO-10-1

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RS Best.-Nr.:
349-164
Herst. Teile-Nr.:
IAUCN04S6N013TATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-LHDSO-10-1

Serie

OptiMOS-TM6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.68mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

133W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Automotive MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET, der speziell für Automobilanwendungen entwickelt wurde. Es handelt sich um ein N-Kanal-Bauelement im Anreicherungsmodus mit normalen Pegelmerkmalen. Der MOSFET wird einer erweiterten Qualifikation unterzogen, die über die AEC-Q101-Normen hinausgeht, und verfügt über verbesserte elektrische Tests, die eine zuverlässige Leistung gewährleisten. Durch sein robustes Design eignet er sich für anspruchsvolle Automobilumgebungen und bietet Langlebigkeit und Effizienz im Energiemanagement.

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenwert beim Reflow

175 °C Betriebstemperatur

RoHS-Konformität

Mögliche Anwendung

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