Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 130 W, 10-Pin PG-LHDSO-10-1
- RS Best.-Nr.:
- 349-278
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUCN04S6N017TATMA1
- Hersteller:
- Infineon
50 weitere Einheiten hinzufügen, um 4% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 12,12
(ohne MwSt.)
€ 14,54
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
- Zusätzlich 1 995 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,424 | € 12,12 | - |
| 50 - 95 | € 2,304 | € 11,52 | 4% |
| 100 - 495 | € 2,134 | € 10,67 | 11% |
| 500 - 995 | € 1,964 | € 9,82 | 18% |
| 1000 + | € 1,886 | € 9,43 | 22% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-278
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUCN04S6N017TATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-LHDSO-10-1 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-LHDSO-10-1 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie Infineon IAU, 200 A maximaler durchgehender Ablassstrom, 40 V maximale Ablassquellenspannung – IAUCN04S6N017TATMA1
Merkmale und Vorteile
Anwendungen
Welche Arten von elektrischen Anschlüssen sind mit diesem Gerät erhältlich?
Wie trägt dieses Relais zur Betriebssicherheit bei?
Welche Bedeutung haben die Umweltspezifikationen für dieses Produkt?
Kann es mehrere Schaltzyklen ohne Ausfall bewältigen?
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal 10-Pin PG-LHDSO-10-1
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal 10-Pin PG-LHDSO-10-2
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal 10-Pin PG-LHDSO-10-3
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal 12-Pin PG-TSON-12
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
