Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 172 A 250 W, 8-Pin PG-TSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-142
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 172A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 172A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und den Gesamtwirkungsgrad erhöht. Der Transistor bietet außerdem ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das eine optimale Schaltleistung gewährleistet. Durch die sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) werden Schaltverluste reduziert, so dass er sich für schnell schaltende Anwendungen eignet. Darüber hinaus ist das Gerät zu 100 % Avalanche-getestet, was Zuverlässigkeit und Robustheit unter Stressbedingungen gewährleistet.
175 °C Betriebstemperatur
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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