Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 172 A 250 W, 8-Pin PG-TSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-142
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 9,62
(ohne MwSt.)
€ 11,54
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,81 | € 9,62 |
| 20 - 198 | € 4,325 | € 8,65 |
| 200 - 998 | € 3,99 | € 7,98 |
| 1000 - 1998 | € 3,705 | € 7,41 |
| 2000 + | € 3,315 | € 6,63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-142
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 172A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 172A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und den Gesamtwirkungsgrad erhöht. Der Transistor bietet außerdem ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das eine optimale Schaltleistung gewährleistet. Durch die sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) werden Schaltverluste reduziert, so dass er sich für schnell schaltende Anwendungen eignet. Darüber hinaus ist das Gerät zu 100 % Avalanche-getestet, was Zuverlässigkeit und Robustheit unter Stressbedingungen gewährleistet.
175 °C Betriebstemperatur
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin PG-Tson-8
- Infineon CoolGaN G5 Typ N-Kanal 8-Pin PG-TSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin PG-TSON-8