Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 88 A 242 W, 8-Pin PG-TSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-148
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC130N20NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 88A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 242W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 88A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 242W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der ISC-Serie von Infineon, 200 V Drain-Source-Spannung, 88 A kontinuierlicher Drain-Strom – ISC130N20NM6ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schalter, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsübertragung und eine effiziente Leitfähigkeit erforderlich sind. Das Gerät wird in einem kompakten PG-TSON-8-Gehäuse für die Montage auf Leiterplattenebene geliefert und entspricht den Industriestandards für die Fertigung.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ableiterspannung von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 88 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 13 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 242 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 39 nC ermöglicht kontrollierte Schaltenergie
• Die Gate-Toleranz von ±20 V schützt das Gate vor Überladung
• 88 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 13 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 242 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 39 nC ermöglicht kontrollierte Schaltenergie
• Die Gate-Toleranz von ±20 V schützt das Gate vor Überladung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen
• Ideal für Motorantriebs-Leistungsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen in Energiespeicherhardware
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für schnell schaltende Frequenzumrichter in der Leistungselektronik
• Ideal für Motorantriebs-Leistungsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen in Energiespeicherhardware
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für schnell schaltende Frequenzumrichter in der Leistungselektronik
Welche Befestigungsmethode ist für die Platinenmontage erforderlich?
Sie ist für die Oberflächenmontage mit der Grundfläche PG-TSON-8 vorgesehen.
Wie verhält es sich bei extremen Temperaturen?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C und unterstützt die thermische Spanne unter rauen Bedingungen.
Welche Normen regeln die Materialien und die Handhabung?
Die Herstellung und Handhabung entsprechen den JEDEC- und J-STD-020-Bestimmungen sowie den RoHS-Beschränkungen.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten Konstrukteure beachten?
Das Gate muss innerhalb von ±20 V betrieben werden, um die Gate-Source-Grenzwerte zu vermeiden.
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