Infineon AIK N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung 326 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-189
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | AIK | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 326W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie AIK | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 326W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC Hybrid Discrete mit dem schnell schaltenden IGBT TRENCHSTOP 5 und der CoolSiC-Schottky-Diode G5 ist für den Automobilbereich konzipiert. Er hat den besten Wirkungsgrad seiner Klasse in hart schaltenden und resonanten Topologien.
650 V Durchbruchspannung
CoolSiCTM Schottky-Diode G5
Niedrige Gate-Ladung QG
Kelvin-Emitter-Anschluss für optimiertes Schaltverhalten
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