Infineon AIK Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung 326 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
349-189
Herst. Teile-Nr.:
AIKBE50N65RF5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Serie

AIK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Maximale Verlustleistung Pd

326W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolSiC Hybrid Discrete mit dem schnell schaltenden IGBT TRENCHSTOP 5 und der CoolSiC-Schottky-Diode G5 ist für den Automobilbereich konzipiert. Er hat den besten Wirkungsgrad seiner Klasse in hart schaltenden und resonanten Topologien.

650 V Durchbruchspannung

CoolSiCTM Schottky-Diode G5

Niedrige Gate-Ladung QG

Kelvin-Emitter-Anschluss für optimiertes Schaltverhalten

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