Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 52 A 250 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
349-101
Herst. Teile-Nr.:
IMBG120R040M2HXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Serie

IMB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

39.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22, RoHS

Höhe

4.5mm

Breite

10.2 mm

Länge

15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET, der sich durch einen hohen Wirkungsgrad und sehr geringe Schaltverluste auszeichnet. Mit einer Kurzschlussfestigkeit von 2 μs bietet das Gerät einen robusten Schutz gegen Fehlerbedingungen. Die Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,2 V gewährleistet ein optimales Schaltverhalten und macht ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für anspruchsvolle Leistungsanwendungen, die eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern.

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