Infineon IMB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 8.1 A 80 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-107
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 622mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Länge | 15mm | |
| Breite | 10.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 622mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Höhe 4.5mm | ||
Länge 15mm | ||
Breite 10.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie IMB von Infineon, maximale Drain-Source-Spannung 1200 V, maximale Verlustleistung 80 W – IMBG120R234M2HXTMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Es bietet eine kontrollierte Leitung für Schalt- und Umwandlungsfunktionen bei Betrieb in einem breiten Umgebungsbereich. Die Komponente ist in einem 7-poligen PG-TO263-7-Gehäuse für die Integration in Leiterplatten konfiguriert und eignet sich dort, wo eine robuste Gate-Ansteuerung und eine hohe Blockierungsspannung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 1200 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 8,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen moderaten Leistungsdurchsatz
• Die Verlustleistung von 80 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Niedrige Rds(on) von 622 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 7,9 nC Gate-Ladung ermöglicht relativ schnelle Schaltübergänge
• Die Gate-Toleranz von 25 V gewährleistet die Kompatibilität mit gängigen Gate-Antrieben
• 8,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen moderaten Leistungsdurchsatz
• Die Verlustleistung von 80 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Niedrige Rds(on) von 622 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 7,9 nC Gate-Ladung ermöglicht relativ schnelle Schaltübergänge
• Die Gate-Toleranz von 25 V gewährleistet die Kompatibilität mit gängigen Gate-Antrieben
Anwendungsbereiche
• Wird für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen verwendet
• Geeignet für das Schalten von Strom in Wechselrichtern für erneuerbare Energien
• Ideal für Motorantriebs-Frontenden mit erhöhten Spannungsschienen
• Kann für Schaltnetzteile und Regler verwendet werden
• Wird mit Wärmemanagement für kompakte Leistungsmodule verwendet
• Geeignet für das Schalten von Strom in Wechselrichtern für erneuerbare Energien
• Ideal für Motorantriebs-Frontenden mit erhöhten Spannungsschienen
• Kann für Schaltnetzteile und Regler verwendet werden
• Wird mit Wärmemanagement für kompakte Leistungsmodule verwendet
Welchen thermischen Extremen kann dieses Gerät während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 200 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit sehr niedrigen Temperaturen und außergewöhnlich hohen Sperrschicht- oder Umgebungsbedingungen, wenn er ordnungsgemäß montiert und gekühlt ist.
Wie wirkt sich die Pin-Konfiguration auf das Leiterplatten-Design und die Montage aus?
Das siebenpolige PG-TO263-7-Layout konzentriert Strom- und Gate-Verbindungen für eine effektive Wärmeübertragung auf die Leiterplatte und vereinfacht die Verlegung von Drain- und Source-Spuren für Ströme mit niedriger Impedanz.
Welche Normen und Umweltbedingungen spiegeln sich in der Herstellung wider?
Die Produktion entspricht den Handhabungsempfehlungen der JEDEC47/20/22 und das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.
Wie sollten Entwickler die Schaltleistung in Hochfrequenzschaltungen berücksichtigen?
Verwenden Sie die typische Gate-Ladeziffer von 7,9 nC, um die Gate-Antriebsenergie zu schätzen, und wählen Sie Gate-Treiber- und Totzeiteinstellungen aus, um Schaltverluste und elektromagnetische Emissionsregelung auszugleichen.
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