Microchip TC6320 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 333-204
- Herst. Teile-Nr.:
- TC6320TG-G
- Hersteller:
- Microchip
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- TC6320TG-G
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | TC6320 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie TC6320 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Bei den MOSFETs von Microchip handelt es sich um Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs mit niedriger Schwelle in 8-poligen VDFN- und SOIC-Gehäusen. Beide MOSFETs haben integrierte Gate-Source-Widerstände und Gate-Source-Zenerdioden-Klemmen, die für Hochspannungsanwendungen erwünscht sind. Es handelt sich um ein komplementäres Hochgeschwindigkeits-Hochspannungs-MOSFET-Paar mit geklemmtem N-Kanal und P-Kanal, das eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet.
Integrierter Gate-Source-Widerstand
Integrierte Gate-Source-Zenerdiode
Niedrige Schwelle
Geringer Widerstand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Frei von Sekundärpannen
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage