ROHM BM2PxxB3JF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 730 V / 4 A 0.63 W, 4-Pin SOP-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
329-142
Herst. Teile-Nr.:
BM2P10B3JF-E2
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

730V

Serie

BM2PxxB3JF

Gehäusegröße

SOP-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±10 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.63W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

105°C

Höhe

1.71mm

Breite

6.2 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der integrierte DC/DC-Wechselrichter IC vom Typ MOSFET für PWM bietet das optimale System für alle Produkte mit Steckdose. Er ist sowohl mit isolierten als auch mit nicht isolierten Wechselrichtern kompatibel, so dass verschiedene Arten von Wechselrichtern mit geringem Stromverbrauch leicht entwickelt werden können. Die integrierte 730-V-Anlaufschaltung trägt zu einer geringen Verlustleistung bei.

10 W-Ausgangsleistung

Schutz gegen nicht verbundenen SOURCE-Anschluss

SOURCE-Anschlussfunktion der Vorderkantenausblendung

Überstrom-Erkennungsfunktion pro Zyklus

Softstart-Funktion

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