ROHM SH8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 8 A 2 W, 6-Pin SOP-8

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RS Best.-Nr.:
264-710
Herst. Teile-Nr.:
SH8KE7TB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOP-8

Serie

SH8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Halogen Free

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand ist ideal für Schalt- und Motorantriebe. Dieses Produkt enthält zwei 100V Nch MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (SOP8).

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse (SOP8)

Pb-freie Bleiplattierung; Erfüllt RoHS

Halogenfrei

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