ROHM SH8 Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2 W, 8-Pin SOP-8

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RS Best.-Nr.:
265-324
Herst. Teile-Nr.:
SH8MC4TB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SH8

Gehäusegröße

SOP-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

96mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Der ROHM MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. In einem kompakten SOP8-Format für die Oberflächenmontage bietet er eine effiziente Leistung bei gleichzeitiger Optimierung des Platzbedarfs in elektronischen Designs.

RoHS-Konformität

Pb-freie Bleibeschichtung

Halogenfrei

100 Prozent Rg und UIS getestet

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