ROHM Doppelt SP8M21 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 45 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 222-4378
- Herst. Teile-Nr.:
- SP8M21HZGTB
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 16,44
(ohne MwSt.)
€ 19,73
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 2 400 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,288 | € 16,44 |
| 50 - 95 | € 2,878 | € 14,39 |
| 100 - 245 | € 2,558 | € 12,79 |
| 250 - 995 | € 2,30 | € 11,50 |
| 1000 + | € 2,252 | € 11,26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4378
- Herst. Teile-Nr.:
- SP8M21HZGTB
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 45V | |
| Serie | SP8M21 | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 46mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 45V | ||
Serie SP8M21 | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 46mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Rohm SP8M21HZG n MOSFET für die Automobilindustrie, der EC-Q101-zertifiziert ist. 45-V-Nch- und Pch-Paar-MOSFETs sind im SOP8-Gehäuse enthalten. Integrierte ESD-Schutzdiode. Ideal für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse (SOP8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung ; RoHS-konform
Halogenfrei
SN100 % Beschichtung
AEC-Q101-qualifiziert
Verwandte Links
- ROHM Doppelt SP8M21 Typ N Oberfläche MOSFET 45 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M3 Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MB Typ N Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SP8M4 Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 2 W, 8-Pin SOP
- ROHM Doppelt SH8MB Typ N Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP SH8MB5TB1
- ROHM Doppelt SP8M3 Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin SOP SP8M3HZGTB
- ROHM Doppelt SP8M5 Typ N Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 3 A 2 W, 8-Pin SOP SP8M51HZGTB
- ROHM Doppelt SP8M4 Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 2 W, 8-Pin SOP SP8M4HZGTB