ROHM BM2PxxB3JF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 730 V / 4 A 0.63 W, 4-Pin SOP-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
329-144
Herst. Teile-Nr.:
BM2P13B3JF-E2
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

730V

Gehäusegröße

SOP-8

Serie

BM2PxxB3JF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

0.63W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

105°C

Höhe

1.71mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Der integrierte DC/DC-Wechselrichter IC vom Typ MOSFET für PWM bietet das optimale System für alle Produkte mit Steckdose. Er ist sowohl mit isolierten als auch mit nicht isolierten Wechselrichtern kompatibel, so dass verschiedene Arten von Wechselrichtern mit geringem Stromverbrauch leicht entwickelt werden können. Die integrierte 730-V-Anlaufschaltung trägt zu einer geringen Verlustleistung bei.

13 W-Ausgangsleistung

Schutz gegen nicht verbundenen SOURCE-Anschluss

SOURCE-Anschlussfunktion der Vorderkantenausblendung

Überstrom-Erkennungsfunktion pro Zyklus

Softstart-Funktion

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