onsemi NVH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 70 A 263 W, 3-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 327-810
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL023N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um 9% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 14,32
(ohne MwSt.)
€ 17,18
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 450 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | € 14,32 | - |
| 10 - 99 | € 12,89 | 9% |
| 100 + | € 11,87 | 17% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 327-810
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL023N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Serie | NVH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 263W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Serie NVH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 263W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die ON Semiconductor Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) EliteSiC ist ein 650 V, 23 mΩ Bauelement im M3S TO-247-3L-Gehäuse. Er ist für leistungsstarke Leistungsanwendungen konzipiert und bietet einen niedrigen Durchlasswiderstand und hervorragende Schalteigenschaften, wodurch er sich ideal für den Einsatz in anspruchsvollen Leistungselektronikanwendungen, einschließlich Industrie- und Automobilsystemen, eignet.
Die Geräte sind Pb-frei und entsprechen der RoHS-Richtlinie
Qualifiziert für die Automobilindustrie gemäß AEC Q101