onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
327-808
Herst. Teile-Nr.:
NVH4L032N065M3S
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247-4L

Serie

NVH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Durchlassspannung Vf

4.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free, RoHS 7a

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET EliteSiC von ON Semiconductor ist ein 650 V, 32 mΩ-Baustein im M3S TO-247-4L-Gehäuse. Er wurde für leistungsstarke Leistungsanwendungen entwickelt und bietet einen niedrigen Durchlasswiderstand und hervorragende Schalteigenschaften. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in hocheffizienten Energieumwandlungssystemen, einschließlich Anwendungen in der Automobilindustrie, der Industrie und im Bereich der erneuerbaren Energien.

Die Geräte sind Pb-frei und entsprechen der RoHS-Richtlinie

Qualifiziert für die Automobilindustrie gemäß AEC Q101

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