onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 327-808
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L032N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 13,27
(ohne MwSt.)
€ 15,92
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 13,27 |
| 10 - 99 | € 11,95 |
| 100 - 499 | € 11,03 |
| 500 - 999 | € 10,22 |
| 1000 + | € 8,30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 327-808
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L032N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NVH | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS 7a | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NVH | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS 7a | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET EliteSiC von ON Semiconductor ist ein 650 V, 32 mΩ-Baustein im M3S TO-247-4L-Gehäuse. Er wurde für leistungsstarke Leistungsanwendungen entwickelt und bietet einen niedrigen Durchlasswiderstand und hervorragende Schalteigenschaften. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in hocheffizienten Energieumwandlungssystemen, einschließlich Anwendungen in der Automobilindustrie, der Industrie und im Bereich der erneuerbaren Energien.
Die Geräte sind Pb-frei und entsprechen der RoHS-Richtlinie
Qualifiziert für die Automobilindustrie gemäß AEC Q101
