onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 327-806
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L023N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 17,86
(ohne MwSt.)
€ 21,43
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 446 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 17,86 |
| 10 - 99 | € 16,06 |
| 100 + | € 14,81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 327-806
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L023N065M3S
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Serie | NVH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Serie NVH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET EliteSiC von ON Semiconductor ist ein 650 V, 23 mΩ-Baustein im M3S TO-247-4L-Gehäuse. Er ist für eine hocheffiziente und leistungsstarke Leistungsumwandlung konzipiert und bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten. Dieser MOSFET ist ideal für Anwendungen in der Automobilbranche, in der Industrie und in Systemen für erneuerbare Energien und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen.
Die Geräte sind Pb-frei und entsprechen der RoHS-Richtlinie
Qualifiziert für die Automobilindustrie gemäß AEC Q101
